化合物半導體器件

第1章 緒論
1.1 歷史和動態
1.2 內容安排和說明
參考文獻
第2章 化合物半導體材料與器件基礎
2.1 半導體材料的分類
2.1.1 元素半導體
2.1.2 化合物半導體
2.1.3 半導體固溶體
2.2 化合物半導體材料特性
2.2.1 晶格結構
2.2.2 晶體的化學鍵和極化
2.2.3 能帶結構
2.2.4 施主和受主能級
2.2.5 遷移率
2.3 化合物半導體器件的發展方向
思考題
參考文獻
第3章 半導體異質結
3.1 異質結及其能帶圖
3.1.1 異質結的形成
3.1.2 異質結的能帶圖
3.2 異型異質結的電學特性
3.2.1 突變異質結的伏安特性和注入特性
3.2.2 界面態的影響
3.2.3 異質結的超注入現象
3.3 量子阱與二維電子氣
3.3.1 二維電子氣的形成及能態
3.3.2 二維電子氣的態密度
3.4 多量子阱與超晶格
思考題
參考文獻
第4章 異質結雙極晶體管
4.1 HBT的基本結構
4.1.1 基本的HBT結構
4.1.2 突變結和組分漸變異質結
4.2 HBT的增益
4.2.1 理想HBT的增益
4.2.2 考慮界面復合後HBT的增益
4.2.3 HBT增益與溫度的關系 ?
4.3 HBT的頻率特性
4.3.1 最大振蕩頻率
4.3.2 開關時間
4.3.3 寬帶隙集電區
4.4 先進的HBT
4.4.1 Si?SiGeHBT
4.4.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物基HBT
思考題
參考文獻
第5章 化合物半導體場效應晶體管
5.1 金屬半導體肖特基接觸
5.1.1 能帶結構
5.1.2 基本模型
5.2 金屬半導體場效應晶體管（MESFET）
5.2.1 MESFET器件結構
5.2.2 工作原理
5.2.3 電流—電壓特性
5.2.4 負阻效應與高場疇
5.2.5 高頻特性
5.2.6 噪聲理論
5.2.7 功率特性
5.3 調制摻雜場效應晶體管
5.3.1 調制摻雜結構
5.3.2 基本原理
5.3.3 電流—電壓特性
思考題
參考文獻
第6章 量子器件與熱電子器件
第7章 半導體光電子器件 ?
第8章 寬帶隙化合物半導體器件