半導體器件導論(影印版)

半導體器件導論(影印版)
定價:414
NT $ 360
  • 作者:[美]尼曼
  • 出版社:清華大學出版社
  • 出版日期:2009-01-01
  • 語言:簡體中文
  • ISBN10:7302124515
  • ISBN13:9787302124511
  • 裝訂:平裝 / 670頁 / 普通級 / 單色印刷 / 初版
 

內容簡介

本書是美國新墨西哥大學電機與計算機工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices,3rd edition”一書的改進版本。.

與原書相比,本書更好地將固體品格結構、量子力學入門知識、固體的量子理論以及半導體物理和半導體器件有機地結合在一起。利用本書,學生只需要具有高等數學和大學普通物理的基礎,用一個學期就可以系統地學習到半導體器件的基本理論,從而為進入微電子學研究領域打下一個良好的基礎。這一特點也是目前國內出版的同類教材很難達到的。..

另外,本書還盡量保持了原書的主要優點︰

(1)注重基本概念和方法。本書從內容的整體編排到具體章節的敘述,都體現了突出物理概念、強調基本分析方法的指導思想。書中的數學推導和物理分析融為一體,得出的結論不僅對理解物理概念十分重要,而且經得起反復推敲。書中還采用了大量非常清晰的插圖,幫助讀者更好地理解基本概念。

(2)可讀性強,便于自學。全書脈絡清楚,說理透徹,易于讀者理解和掌握。每一章的開頭都有引言,告訴讀者可以從本章學到什麼,應該掌握什麼;每一章中都有例題和讀者自測題;每一章的最後還有總結、復習提綱和大量習題(其中包含一些采用計算機進行模擬計算的練習題)。通過舉例和練習加深讀者對基本概念的理解是本書突出的特點。
 

目錄

Preface
CHAPTER 1 The Crystal Structure of Solids
1.0
1.1 Preview
1.2 Semiconductor Materials
1.3 Space Lattices
1.4 Atomic Bonding
1.5 Imperfections and Impurites in Solids
1.6 Growth of Semiconductor Materials
1.7 Device Fabrication Techniques:Oxdation
1.8 Summary
CHAPTER 2 Theory of Solids
2.0 Preview
2.1 Principles of Quantum Mechanics
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts
2.3 Energy-Band Theory
2.4 Density of States Function
2.5 Statistical Mechanics
2.6 Summary
CHAPTER 3 The Semiconductor in Equilibrium
……
CHAPTER 4 Carrier Transport and Excess Carrier Phenomena
CHAPTER 5 The pn Junction and Metal-Semiconductor Contact
CHAPTER 6 Fundamentals of the Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
CHAPTER 7 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:Additional Concepts
CHAPTER 8 Nonequilibrium Excess Carriers In Semiconductiors
CHAPTER 9 The pn Junction and Schottky Diodes
CHAPTER 10 The Bipolar Transistor
CHAPTER 11 Additional Semiconductor Devices and Device Concepts
CHAPTER 12 Optical Devices
APPENDIX
Index
CHAPTER 13
 

本書是美國新墨西哥大學電機與計算機工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices(3 rd edition)”一書的改進版本。

在原書的基礎上,本書主要進行了以下的調整︰

(1)重新組織編排了原書的章節和內容,特別將有關MOSFET器件物理的內容放在了BJT之前,這反映了MOSFET在當代主流CMOS工藝中的重要位置︰

(2)結合不同類型半導體器件原理的介紹,增加了相應的微電子制造工藝方面的內容;

(3)壓縮了有關量子力學方面的內容,力圖以較少的篇幅和比較淺顯易懂的方式來介紹固體的量子理論和半導體物理方面必要的基礎知識;

(4)增加了一些介紹新器件結構方面的內容,例如MEMS器件等,以便進一步拓寬學生的知識面。

與原書相比,本書更好地將固體晶格結構、量子力學入門知識、固體的量子理論以及半導體物理和半導體器件有機地結合在一起。利用本書,學生只需要具有高等數學和大學普通物理的基礎,用一個學期就可以系統地學習到半導體器件的基本理論,從而為進入微電子學研究領域打下一個良好的基礎。這一特點也是目前國內出版的同類教材很難達到的。

另外,本書還盡量保持了原書的主要優點︰

(1)注重基本概念和方法。本書從內容的整體編排到具體章節的敘述,都體現了突出物理概念、強調基本分析方法的指導思想。書中的數學推導和物理分析融為一體,得出的結論不僅對理解物理概念十分重要,而且經得住反復推敲。書中還采用了大量非常清晰的插圖,這從另一個側面也可以幫助讀者更好地理解基本概念。

(2)可讀性強,便于自學。全書脈絡清楚,說理透徹,易于讀者理解和掌握。每章的開頭都有引言,告訴讀者可以從本章學到什麼,應該掌握什麼;每章中都有例題和讀者自測題;每章的最後還有總結、復習提綱和大量習題(其中包含一些采用計算機進行模擬計算的練習題)。通過舉例和練習加深讀者對基本概念的理解是本書突出的特點。

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