ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用
ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用
是Steven H.Voldman(沃爾德曼)博士在半導體器件靜電放電(ESD)領域20多年研究和工作經驗的結晶。對ESD的基本原理、現實中的ESD環境、半導體器件制造、處理和組裝過程的ESD現象、半導體器件片上和片外保護技術，以及對未來納米結構中的ESD問題展望等，進行了系統而全面的闡述，是幫助了解半導體器件ESD及其所有相關問題的一本非常好的基礎性書籍。
本書在介紹當今所面臨的半導體芯片制造問題、ESD半導體芯片設計和系統問題。以及描述未來納米技術的ESD現象方面是獨一無二的。
本書是作者在ESD保護方面系列書籍的補充。對剛進入這個領域的人員來說。本書是一個重要的參考，也可以幫助了解進入納米電子時代后現代技術所面臨的問題。
Steven H．Voldman博士由於在CMOS、SOI和SiGe工藝下的靜電放電(ESD)保護方面所作出的貢獻，而成為了ESD領域的第一位IEEE
Fellow。他於1979年在布法羅大學獲得了工程學學士學位；並於1981年在麻省理工學院(MIT)獲得了電子工程方向的碩士學位；以后又在MIT獲得第二個電子工程學位(工程碩士學位)；1986年他在IBM的駐地研究員計划下從佛蒙特大學獲得了工程物理學碩士學位，並於1991年從該校獲得了電子工程的博士學位。他作為IBM開發團隊的一員已有25年的歷史，主要致力於半導體器件物理、器件設計和可靠性[如軟失效率(SER)、熱電子、漏電機制、閂鎖和ESD]的研究工作。Voldman博士參與到閂鎖技術的研發已有27年之久。他的工作主要針對用於雙極型SRAM、CMOS
DRAM、CMOS邏輯、SOI、BiCMOS、SiGe、RF CMOS、RF SOI、智能電源和圖像處理技術中的工藝和電路設計的研究。在2008年，他成為了奇夢達DRAM開發團隊的一員，從事70nm、58nm和48nm CMOS工藝的研究。同年，他成立了一個有限責任公司，並作為台積電45mn
ESD和閂鎖開發團隊的一部分在其總部中國台灣新竹工作。目前他作為ESD和閂鎖研發的高級首席工程師效力於Intersil公司。
