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電子電路分析與設計（第四版）--數字電子技術（影印版英文）

定價：~~354~~ 元

NT $ 308

作者：(美)尼曼
出版社：清華大學出版社
出版日期：2018-09-01
語言：簡體中文
ISBN10：7302500851
ISBN13：9787302500858
裝訂：平裝 / 560頁 / 16k / 25.8 x 18.4 x 2.4 cm / 普通級 / 單色印刷 / 1-1

內容簡介

本書是微電子技術領域的基礎教程。
全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理及半導體器件物理等內容，分成三部分，共計15章。
第一部分為半導體材料屬性，主要討論固體晶格結構、量子力學、固體量子理論、平衡半導體、輸運現象、半導體中的非平衡過剩載流子；
第二部分為半導體器件基礎，主要討論pn結、pn結二極體、金屬半導體和半導體異質結、金屬氧化物半導體場效應電晶體、雙極電晶體、結型場效應電晶體；第三部分為專用半導體器件，主要介紹光器件、半導體微波器件和功率器件等。
書中既講述了半導體基礎知識，也分析討論了小尺寸器件物理問題，具有一定的深度和廣度。另外，全書各章難點之後均列有例題、自測題，每章末尾均安排有複習要點、重要術語解釋及知識點。全書各章末尾列有習題和參考文獻，書後附有部分習題答案。

作者介紹

美國新墨西哥大學電氣與電腦工程系教授，于新墨西哥大學獲博士學位後，成為Hanscom基地固態科學實驗室電子工程師。1976年加入新墨西哥大學電氣與電腦工程系，從事半導體物理與器件課程和電路課程的教學工作。目前仍為該系的返聘教員。另著有Microelectronics Circuit Analysis and Design, Fourth Edition和An Introduction to Semiconductor Devices兩本教材。

緒論半導體和積體電路
歷史
積體電路（IC）
製造
參考文獻
第一部分半導體材料屬性
第1章固體晶格結構
1.0 概述
1.1 半導體材料
1.2 固體類型
1.3 空間晶格
1.4 金剛石結構
1.5 原子價鍵
1.6 固體中的缺陷和雜質
1.7 半導體材料的生長
1.8 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第2章量子力學初步
2.0 概述
2.1 量子力學的基本原理
2.2 薛定諤波動方程
2.3 薛定諤波動方程的應用
2.4 原子波動理論的延伸
2.5 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第3章固體量子理論初步
3.0 概述
3.1 允帶與禁帶
3.2 固體中電的傳導
3.3 三維擴展
3.4 狀態密度函數
3.5 統計力學
3.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第4章平衡半導體
4.0 概述
4.1 半導體中的載流子
4.2 摻雜原子與能級
4.3 非本征半導體
4.4 施主和受主的統計學分佈
4.5 電中性狀態
4.6 費米能級的位置
4.7 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第5章載流子輸運現象
5.0 概述
5.1 載流子的漂移運動
5.2 載流子擴散
5.3 雜質梯度分佈
5.4 霍爾效應
5.5 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻

第6章半導體中的非平衡過剩載流子
6.0 概述
6.1 載流子的產生與複合
6.2 過剩載流子的性質
6.3 雙極輸運
6.4 准費米能級
6.5 過剩載流子的壽命
6.6 表面效應
6.7 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第二部分半導體器件基礎
第7章 pn結
7.0 概述
7.1 pn結的基本結構
7.2 零偏
7.3 反偏
7.4 結擊穿
7.5 非均勻摻雜pn結
7.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第8章 pn結二極體
8.0 概述
8.1 pn結電流
8.2 產生複合電流和大注入
8.3 pn結的小信號模型
8.4 電荷存儲與二極體瞬態
8.5 隧道二極體
8.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第9章金屬半導體和半導體異質結
9.0 概述
9.1 肖特基勢壘二極體
9.2 金屬半導體的歐姆接觸
9.3 異質結
9.4 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第10章金屬氧化物半導體場效應電晶體基礎
10.0 概述
10.1 雙端MOS結構
10.2 電容電壓特性
10.3 MOSFET基本工作原理
10.4 頻率限制特性
10.5 CMOS技術
10.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第11章金屬氧化物半導體場效應電晶體：概念的深入
11.0 概述
11.1 非理想效應
11.2 MOSFET按比例縮小理論
11.3 閾值電壓的修正
11.4 附加電學特性
11.5 輻射和熱電子效應
11.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第12章雙極電晶體
12.0 概述
12.1 雙極電晶體的工作原理
12.2 少子的分佈
12.3 低頻共基極電流增益
12.4 非理想效應
12.5 等效電路模型
12.6 頻率上限
12.7 大信號開關
12.8 其他的雙極電晶體結構
12.9 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第13章結型場效應電晶體
13.0 概述
13.1 JFET概念
13.2 器件的特性
13.3 非理想因素
13.4 等效電路和頻率限制
13.5 高電子遷移率電晶體
13.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題

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序

譯者序
從1947年第一隻電晶體的誕生，到1958年第一塊積體電路的出現，歷經半個多世紀的發展，微電子技術推動了人類社會跨入資訊時代，影響著我們生活的方方面面。具有基礎性地位的微電子技術對現代資訊產業的帶動作用，長期以來一直深受世人的矚目與重視。

近年來，在世界半導體積體電路設計與制造中心正加速向中國轉移的背景下，中國大陸制定了一批旨在促進微電子產業發展的支持政策，相信在不久的將來，中國大陸將逐漸從積體電路的消耗大國轉變成積體電路的設計、製造強國。

半導體物理及器件的相關知識是微電子技術的基礎，掌握該知識對從事相關工作至關重要。

基於此，我們在電子工業出版社的大力支持下，組織天津大學在微電子方向從事教學、科研的老師翻譯了本書，作為一本微電子入門書籍奉獻給讀者。本書既可以作為高等院校微電子技術相關專業本科生及研究生的教材，也可以作為從事相關領域工作的工程技術人員的參考資料。

本書作者有著多年豐富的教學和科研經驗，本書作為第四版，是在前三版作為教材使用多年的基礎上，結合當今微電子器件發展的現狀而修訂的。除了保持原書的綜合性和基礎性的特點，第四版在章節安排上進行了調整，將講述場效應電晶體（MOSFET）的兩章內容提前到雙極型電晶體（BJT）章節的前面，充分體現了現代半導體積體電路中MOSFET的重要性。

為了幫助讀者更好地學習，在每一章的開始，增加了本章內容的說明。書中主要內容包括量子力學基本知識、能帶理論、半導體物理、半導體器件和特種半導體器件等，既有一定廣度，又有深入的分析。

全書共有15章，作者講解深入淺出，理論分析透徹，重點突出，每一章都配有小結和知識點匯總，並配以大量習題供讀者選做。從第三版使用情況來看，讀者反映良好，對於擬學習半導體物理與器件的讀者來說，是一種很好的選擇。

第四版的翻譯工作是在第三版的基礎上補充完善的，參與本版翻譯與校對工作的有趙毅強、姚素英、史再峰和盛大力等人。其中姚素英負責第1章至第3章，趙毅強負責第4章至第9章，史再峰負責第10章至第12章，盛大力負責第13章至第15章。

根據我們的教學體會和讀者的回饋，最近我們對全書進行了勘誤，參與人員有葉茂、胡凱和何家驥等人。
鑒於譯者的水準有限，書中難免有不足和疏漏之處，敬請讀者批評、指正。
趙毅強
天津大學微電子學院
2018年5月

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